EPC2106
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup EPC2106 z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup EPC2106 z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Poprosić o wycenę
| Part Number | EPC2106 |
|---|---|
| Producent | EPC |
| Opis | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE |
| Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Cena Referencyjna (w dolarach amerykańskich) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.319 | |||||
- Parametr produktu
- Arkusz danych
Product parameter
| Part Number | EPC2106 | Producent | EPC |
|---|---|---|---|
| Opis | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 59781 pcs | Arkusz danych | EPC2106 |
| Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet | Die | Seria | eGaN® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V | Moc - Max | - |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) | Package / Case | Die |
| Inne nazwy | 917-1110-2 | temperatura robocza | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 14 Weeks | Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 75pF @ 50V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Rodzaj FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Cecha FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100V | szczegółowy opis | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
- Produkty powiązane
- Powiązane wiadomości
Produkty powiązane
- Część#:
EPC2103ENG - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE - W magazynie:
7980
- Część#:
EPC2110ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE - W magazynie:
72924
- Część#:
EPC2103ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V - W magazynie:
16697
- Część#:
EPC2108ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE - W magazynie:
102166
- Część#:
EPC2105ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE - W magazynie:
16656
- Część#:
EPC2106ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE - W magazynie:
60716
- Część#:
EPC2104ENG - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE - W magazynie:
8796
- Część#:
EPC2107ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE - W magazynie:
60095
- Część#:
EPC2104ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
MOSFET 2NCH 100V 23A DIE - W magazynie:
17899
- Część#:
EPC2112ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
200 V GAN IC FET DRIVER - W magazynie:
22750
- Część#:
EPC2105ENG - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE - W magazynie:
12287
- Część#:
EPC2102ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE - W magazynie:
15237
- Część#:
EPC2111ENGRT - Producenci:
EPC - Opis:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID - W magazynie:
48662