polski

Wybierz język

  1. English
  2. Deutsch
  4. Français
  5. Italia
  6. Dansk
  7. 한국의
  8. Português
  9. ภาษาไทย
  10. Kongeriket
  11. Maori
  12. Melayu
  13. polski
  14. Nederland
  15. Türk dili
  16. Suomi
  17. Tiếng Việt
  18. Svenska
  19. русский
  20. العربية
  21. Gaeilge
  22. Republika e Shqipërisë
  23. Eesti Vabariik
  24. Български език
  25. Pilipino
  26. Čeština
  27. Hrvatska
  28. românesc
  29. မြန်မာ
  30. Cрпски
  31. සිංහල
  32. Slovenská
  33. Slovenija
  34. español
  35. עִבְרִית
  36. Ελλάδα
  37. Magyarország
  38. Azərbaycan
  39. Беларусь
  40. íslenska
  41. Bosna
  42. فارسی
  43. Afrikaans
  44. Cambodia
  45. საქართველო
  46. Ayiti
  47. Hausa
  48. Kurdî
  49. Latviešu
  50. ພາສາລາວ
  51. lietuvių
  52. Lëtzebuergesch
  53. malaɡasʲ
  54. Македонски
  55. Україна
  56. Indonesia
  57. پښتو
  58. हिंदी
  59. Монголулс
  60. اردو
  61. বাংলা ভাষার
  62. नेपाली
  63. O'zbek
  64. मराठी
Anuluj
Zapytania ofertowe / Zamówienie | Skontaktuj się z nami |
Proszę podać pełną lub częściową ilość części samochodowych z minimum 3 liter lub cyfr
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Prześlij zapytanie
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXTH2R4N120P

IXTH2R4N120P

IXTH2R4N120P
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup IXTH2R4N120P z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji

Poprosić o wycenę

Part Number IXTH2R4N120P
Producent IXYS Corporation
Opis MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
Stan ołowiu / status RoHS Bezołowiowa / zgodna z RoHS
In Stock 15779 pcs
Cena Referencyjna
(w dolarach amerykańskich)		30 pcs
$2.136

Prześlij żądanie dla aukcji w ilościach większych niż te wyświetlane.

Cena docelowa:(USD)
Ilość:
Całkowity:
$2.136

Product parameter

Part Number IXTH2R4N120P Producent IXYS Corporation
Opis MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 Stan ołowiu / status RoHS Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 15779 pcs Arkusz danych IXT(A,H,P)2R4N120P
Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (maks.) ±20V Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet TO-247 (IXTH) Seria Polar™
RDS (Max) @ ID, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V Strata mocy (max) 125W (Tc)
Opakowania Tube Package / Case TO-247-3
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ) Rodzaj mocowania Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited) Standardowy czas oczekiwania producenta 24 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 1207pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 37nC @ 10V Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET - Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 1200V szczegółowy opis N-Channel 1200V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 2.4A (Tc)

Produkty powiązane

$1.918/pcsZapytanie ofertowe

Podobne wiadomości dla IXTH2R4N120P

Powiązane słowa kluczowe dla IXTH2R4N120P

IXYS Corporation IXTH2R4N120P. Dystrybutor IXTH2R4N120P. IXTH2R4N120P Dostawca IXTH2R4N120P Cena IXTH2R4N120P Pobierz kartę DataShe. Arkusz danych IXTH2R4N120P. IXTH2R4N120P Stock.kup IXTH2R4N120P. IXYS Corporation IXTH2R4N120P. IXYS IXTH2R4N120P.