polski

Wybierz język

  1. English
  2. Deutsch
  3. Français
  4. Italia
  5. Dansk
  6. 한국의
  7. Português
  8. ภาษาไทย
  9. Kongeriket
  10. Maori
  11. Melayu
  12. polski
  13. Nederland
  14. Türk dili
  15. Suomi
  16. Tiếng Việt
  17. Svenska
  18. русский
  19. العربية
  20. Gaeilge
  21. Republika e Shqipërisë
  22. Eesti Vabariik
  23. Български език
  24. Pilipino
  25. Čeština
  26. Hrvatska
  27. românesc
  28. မြန်မာ
  29. Cрпски
  30. සිංහල
  31. Slovenská
  32. Slovenija
  33. español
  34. עִבְרִית
  35. Ελλάδα
  36. Magyarország
  37. Azərbaycan
  38. Беларусь
  39. íslenska
  40. Bosna
  41. فارسی
  42. Afrikaans
  43. Cambodia
  44. საქართველო
  45. Ayiti
  46. Hausa
  47. Kurdî
  48. Latviešu
  49. ພາສາລາວ
  50. lietuvių
  51. Lëtzebuergesch
  52. malaɡasʲ
  53. Македонски
  54. Україна
  55. Indonesia
  56. پښتو
  57. हिंदी
  58. Монголулс
  59. اردو
  60. বাংলা ভাষার
  61. नेपाली
  62. O'zbek
  63. मराठी
Anuluj
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IRFHM830TR2PBF

IRFHM830TR2PBF

IRFHM830TR2PBF
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup IRFHM830TR2PBF z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji

Poprosić o wycenę

Part Number IRFHM830TR2PBF
Producent International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Stan ołowiu / status RoHS Bezołowiowa / zgodna z RoHS
In Stock 5810 pcs
Cena Referencyjna
(w dolarach amerykańskich)
Get a quote

Prześlij żądanie dla aukcji w ilościach większych niż te wyświetlane.

Cena docelowa:(USD)
Ilość:
Całkowity:
$0.00

Product parameter

Part Number IRFHM830TR2PBF Producent International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Stan ołowiu / status RoHS Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 5810 pcs Arkusz danych IRFHM830PbF
Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Vgs (maks.) ±20V Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet PQFN (3x3) Seria HEXFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V Strata mocy (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Opakowania Cut Tape (CT) Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Inne nazwy IRFHM830TR2PBFCT temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Surface Mount Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 2155pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 31nC @ 10V Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET - Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 30V szczegółowy opis N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)

Produkty powiązane

IRFHM8342TRPBF Image
IRFHM830DTR2PBF Image
IRFHM8334TRPBF Image
IRFHM4231TRPBF Image
IRFHM4226TRPBF Image
IRFHM8326TRPBF Image
IRFHM8329TRPBF Image
IRFHM7194TRPBF Image
IRFHM8337TRPBF Image
IRFHM830TRPBF Image
IRFHM8235TRPBF Image
IRFHM4234TRPBF Image
IRFHM831TR2PBF Image
IRFHM8228TRPBF Image
IRFHM8330TRPBF Image
IRFHM831TRPBF Image
IRFHM8363TR2PBF Image
IRFHM792TR2PBF Image
IRFHM830DTRPBF Image

Podobne wiadomości dla IRFHM830TR2PBF

Powiązane słowa kluczowe dla IRFHM830TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies) IRFHM830TR2PBF. Dystrybutor IRFHM830TR2PBF. IRFHM830TR2PBF Dostawca IRFHM830TR2PBF Cena IRFHM830TR2PBF Pobierz kartę DataShe. Arkusz danych IRFHM830TR2PBF. IRFHM830TR2PBF Stock.kup IRFHM830TR2PBF. International Rectifier (Infineon Technologies) IRFHM830TR2PBF. International Rectifier IRFHM830TR2PBF. Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF. International Rectifier (Infineon Technologies) IRFHM830TR2PBF. IR (Infineon Technologies) IRFHM830TR2PBF.