R6012ANJTL
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup R6012ANJTL z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup R6012ANJTL z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Poprosić o wycenę
| Part Number | R6012ANJTL |
|---|---|
| Producent | LAPIS Semiconductor |
| Opis | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS |
| Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Cena Referencyjna (w dolarach amerykańskich) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.801 | |||||
- Parametr produktu
- Arkusz danych
Product parameter
| Part Number | R6012ANJTL | Producent | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Opis | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 39794 pcs | Arkusz danych | R6012ANJ |
| Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe | VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (maks.) | ±30V | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | LPTS | Seria | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 420 mOhm @ 6A, 10V | Strata mocy (max) | 100W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) | Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) | Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1300pF @ 25V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 600V |
| szczegółowy opis | N-Channel 600V 12A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
- Produkty powiązane
- Powiązane wiadomości
Produkty powiązane
- Część#:
R6015ANJTL - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS - W magazynie:
30706
- Część#:
R6012FNJTL - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A LPT - W magazynie:
45858
- Część#:
R6015ANX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM - W magazynie:
26937
- Część#:
R6011KNX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM - W magazynie:
72446
- Część#:
R6012025XXYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 - W magazynie:
1300
- Część#:
R6011ENX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220 - W magazynie:
58522
- Część#:
R6011830XXYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 - W magazynie:
1129
- Część#:
R6012FNX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM - W magazynie:
33492
- Część#:
R6012ANX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM - W magazynie:
47883
- Część#:
R6011KNJTL - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263 - W magazynie:
101105
- Część#:
R6015ANZC8 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF - W magazynie:
38978
- Część#:
R6015ENX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 15A TO220 - W magazynie:
56775
- Część#:
R6012625XXYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 - W magazynie:
1245
- Część#:
R6012425XXYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 - W magazynie:
1221
- Część#:
R6011ENJTL - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 11A LPT - W magazynie:
50693
- Część#:
R6015ENJTL - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 15A LPT - W magazynie:
40092
- Część#:
R6012030XXYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 - W magazynie:
1389
- Część#:
R6015ENZC8 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF - W magazynie:
35746
- Część#:
R6012225XXYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 - W magazynie:
1336