APT64GA90B2D30
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup APT64GA90B2D30 z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup APT64GA90B2D30 z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Poprosić o wycenę
| Part Number | APT64GA90B2D30 |
|---|---|
| Producent | Microsemi |
| Opis | IGBT 900V 117A 500W TO-247 |
| Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Cena Referencyjna (w dolarach amerykańskich) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.892 | $4.448 | $4.114 | |||
| 120 pcs | 270 pcs | 510 pcs | |||
| $3.781 | $3.447 | $3.225 | |||
- Parametr produktu
- Arkusz danych
Product parameter
| Part Number | APT64GA90B2D30 | Producent | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Opis | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 11633 pcs | Arkusz danych | APT64GA90x(2)D30 |
| Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe | Napięcie - kolektor emiter (Max) | 900V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC | 3.1V @ 15V, 38A | Stan testu | 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C | 18ns/131ns | Przełączanie Energy | 1192µJ (on), 1088µJ (off) |
| Seria | POWER MOS 8™ | Moc - Max | 500W |
| Opakowania | Tube | Package / Case | TO-247-3 Variant |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) | Standardowy czas oczekiwania producenta | 29 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Typ wejścia | Standard |
| Rodzaj IGBT | PT | brama Charge | 162nC |
| szczegółowy opis | IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole | Obecny - Collector impulsowe (ICM) | 193A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks) | 117A |
- Produkty powiązane
- Powiązane wiadomości
Produkty powiązane
- Część#:
APT64GA90B - Producenci:
Microsemi - Opis:
IGBT 900V 117A 500W TO247 - W magazynie:
11108
- Część#:
APT60M80JVR - Producenci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 - W magazynie:
4538
- Część#:
APT60S20B2CTG - Producenci:
Microsemi - Opis:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX - W magazynie:
15032
- Część#:
APT60S20BG - Producenci:
Microsemi - Opis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 - W magazynie:
34257
- Część#:
APT65GP60L2DQ2G - Producenci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 198A 833W TO264 - W magazynie:
5205
- Część#:
APT65GP60B2G - Producenci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 100A 833W TMAX - W magazynie:
5980
- Część#:
APT60N60SCSG - Producenci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK - W magazynie:
4814
- Część#:
APT64GA90LD30 - Producenci:
Microsemi - Opis:
IGBT 900V 117A 500W TO-264 - W magazynie:
8850
- Część#:
APT68GA60B2D40 - Producenci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - W magazynie:
9887
- Część#:
APT60N60BCSG - Producenci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 - W magazynie:
4768
- Część#:
APT60S20SG - Producenci:
Microsemi Corporation - Opis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 - W magazynie:
20102
- Część#:
APT60N60SCSG/TR - Producenci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK - W magazynie:
5487
- Część#:
APT66F60B2 - Producenci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 - W magazynie:
4058
- Część#:
APT68GA60B - Producenci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - W magazynie:
14870
- Część#:
APT60M80L2VRG - Producenci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX - W magazynie:
4156
- Część#:
APT66M60B2 - Producenci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX - W magazynie:
4893
- Część#:
APT65GP60J - Producenci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 130A 431W SOT227 - W magazynie:
2666
- Część#:
APT60S20SG/TR - Producenci:
Microsemi Corporation - Opis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK - W magazynie:
22983