polski

Wybierz język

  1. English
  2. Deutsch
  3. Français
  4. Italia
  5. Dansk
  6. 한국의
  7. Português
  8. ภาษาไทย
  9. Kongeriket
  10. Maori
  11. Melayu
  12. polski
  13. Nederland
  14. Türk dili
  15. Suomi
  16. Tiếng Việt
  17. Svenska
  18. русский
  19. العربية
  20. Gaeilge
  21. Republika e Shqipërisë
  22. Eesti Vabariik
  23. Български език
  24. Pilipino
  25. Čeština
  26. Hrvatska
  27. românesc
  28. မြန်မာ
  29. Cрпски
  30. සිංහල
  31. Slovenská
  32. Slovenija
  33. español
  34. עִבְרִית
  35. Ελλάδα
  36. Magyarország
  37. Azərbaycan
  38. Беларусь
  39. íslenska
  40. Bosna
  41. فارسی
  42. Afrikaans
  43. Cambodia
  44. საქართველო
  45. Ayiti
  46. Hausa
  47. Kurdî
  48. Latviešu
  49. ພາສາລາວ
  50. lietuvių
  51. Lëtzebuergesch
  52. malaɡasʲ
  53. Македонски
  54. Україна
  55. Indonesia
  56. پښتو
  57. हिंदी
  58. Монголулс
  59. اردو
  60. বাংলা ভাষার
  61. नेपाली
  62. O'zbek
  63. मराठी
Anuluj
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTM10DAM02G

APTM10DAM02G

OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup APTM10DAM02G z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji

Poprosić o wycenę

Part Number APTM10DAM02G
Producent Microsemi
Opis MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Stan ołowiu / status RoHS Bezołowiowa / zgodna z RoHS
In Stock 907 pcs
Cena Referencyjna
(w dolarach amerykańskich)
100 pcs
$40.401

Prześlij żądanie dla aukcji w ilościach większych niż te wyświetlane.

Cena docelowa:(USD)
Ilość:
Całkowity:
$40.401

Product parameter

Part Number APTM10DAM02G Producent Microsemi
Opis MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Stan ołowiu / status RoHS Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 907 pcs Arkusz danych Power Products CatalogAPTM10DAM02G
Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Vgs (maks.) ±30V Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet SP6 Seria -
RDS (Max) @ ID, Vgs 2.5 mOhm @ 200A, 10V Strata mocy (max) 1250W (Tc)
Opakowania Bulk Package / Case SP6
temperatura robocza -40°C ~ 150°C (TJ) Rodzaj mocowania Chassis Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited) Standardowy czas oczekiwania producenta 32 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 40000pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 1360nC @ 10V Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET - Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 100V szczegółowy opis N-Channel 100V 495A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 495A (Tc)

Produkty powiązane

APTM100UM65SAG Image
APTM100UM45DAG Image
APTM10AM02FG Image
$103.211/pcsZapytanie ofertowe
APTM100UM45FAG Image
$104.943/pcsZapytanie ofertowe

Podobne wiadomości dla APTM10DAM02G

Powiązane słowa kluczowe dla APTM10DAM02G

Microsemi APTM10DAM02G. Dystrybutor APTM10DAM02G. APTM10DAM02G Dostawca APTM10DAM02G Cena APTM10DAM02G Pobierz kartę DataShe. Arkusz danych APTM10DAM02G. APTM10DAM02G Stock.kup APTM10DAM02G. Microsemi APTM10DAM02G. Microsemi Analog Mixed Signal Group APTM10DAM02G. Microsemi Analog Mixed Signal Group [MIL] APTM10DAM02G. Microsemi Consumer Medical Product Group APTM10DAM02G. Microsemi HI-REL [MIL] APTM10DAM02G. Microsemi Power Management Group APTM10DAM02G. Microsemi Power Products Group APTM10DAM02G. Microsemi SoC APTM10DAM02G. Microsemi Commercial Components Group APTM10DAM02G. Microsemi Corporation APTM10DAM02G. Microsemi Solutions Sdn Bhd. APTM10DAM02G.