polski

Wybierz język

  1. English
  2. Deutsch
  3. Français
  4. Italia
  5. Dansk
  6. 한국의
  7. Português
  8. ภาษาไทย
  9. Kongeriket
  10. Maori
  11. Melayu
  12. polski
  13. Nederland
  14. Türk dili
  15. Suomi
  16. Tiếng Việt
  17. Svenska
  18. русский
  19. العربية
  20. Gaeilge
  21. Republika e Shqipërisë
  22. Eesti Vabariik
  23. Български език
  24. Pilipino
  25. Čeština
  26. Hrvatska
  27. românesc
  28. မြန်မာ
  29. Cрпски
  30. සිංහල
  31. Slovenská
  32. Slovenija
  33. español
  34. עִבְרִית
  35. Ελλάδα
  36. Magyarország
  37. Azərbaycan
  38. Беларусь
  39. íslenska
  40. Bosna
  41. فارسی
  42. Afrikaans
  43. Cambodia
  44. საქართველო
  45. Ayiti
  46. Hausa
  47. Kurdî
  48. Latviešu
  49. ພາສາລາວ
  50. lietuvių
  51. Lëtzebuergesch
  52. malaɡasʲ
  53. Македонски
  54. Україна
  55. Indonesia
  56. پښتو
  57. हिंदी
  58. Монголулс
  59. اردو
  60. বাংলা ভাষার
  61. नेपाली
  62. O'zbek
  63. मराठी
Anuluj
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup JANTXV1N5809US z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji

Poprosić o wycenę

Part Number JANTXV1N5809US
Producent Microsemi
Opis DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Stan ołowiu / status RoHS Zawiera ołów / RoHS niezgodny
In Stock 4478 pcs
Cena Referencyjna
(w dolarach amerykańskich)
100 pcs
$6.865

Prześlij żądanie dla aukcji w ilościach większych niż te wyświetlane.

Cena docelowa:(USD)
Ilość:
Całkowity:
$6.865

Product parameter

Part Number JANTXV1N5809US Producent Microsemi
Opis DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF Stan ołowiu / status RoHS Zawiera ołów / RoHS niezgodny
dostępna ilość 4478 pcs Arkusz danych 1N5807,09,11 US/URS
Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli 875mV @ 4A
Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) 100V Dostawca urządzeń Pakiet B, SQ-MELF
Prędkość Fast Recovery = 200mA (Io) Seria Military, MIL-PRF-19500/477
Odwrócona Recovery Time (TRR) 30ns Opakowania Bulk
Package / Case SQ-MELF, B Inne nazwy 1086-2847
1086-2847-MIL
Temperatura pracy - złącze -65°C ~ 175°C Rodzaj mocowania Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited) Standardowy czas oczekiwania producenta 14 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Typ diody Standard
szczegółowy opis Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF Obecny - Reverse Przeciek @ Vr 5µA @ 100V
Obecny - Średnia Spirytus (Io) 3A Pojemność @ VR F 60pF @ 10V, 1MHz

Produkty powiązane

JANTXV1N5806US Image
JANTXV1N5907 Image
JANTXV1N5819-1 Image
JANTXV1N5804US Image
JANTXV1N5806 Image
JANTXV1N5968 Image

Podobne wiadomości dla JANTXV1N5809US

Powiązane słowa kluczowe dla JANTXV1N5809US

Microsemi JANTXV1N5809US. Dystrybutor JANTXV1N5809US. JANTXV1N5809US Dostawca JANTXV1N5809US Cena JANTXV1N5809US Pobierz kartę DataShe. Arkusz danych JANTXV1N5809US. JANTXV1N5809US Stock.kup JANTXV1N5809US. Microsemi JANTXV1N5809US. Microsemi Analog Mixed Signal Group JANTXV1N5809US. Microsemi Analog Mixed Signal Group [MIL] JANTXV1N5809US. Microsemi Consumer Medical Product Group JANTXV1N5809US. Microsemi HI-REL [MIL] JANTXV1N5809US. Microsemi Power Management Group JANTXV1N5809US. Microsemi Power Products Group JANTXV1N5809US. Microsemi SoC JANTXV1N5809US. Microsemi Commercial Components Group JANTXV1N5809US. Microsemi Corporation JANTXV1N5809US. Microsemi Solutions Sdn Bhd. JANTXV1N5809US.