R6031035ESYA
OMRON AUTOMATION & SAFETYObrazy są przeznaczone wyłącznie do odniesienia.
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup R6031035ESYA z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Patrz specyfikacje produktu do szczegółów produktu.
Kup R6031035ESYA z zaufaniem z Components-World.HK, 1 rok gwarancji
Poprosić o wycenę
| Part Number | R6031035ESYA |
|---|---|
| Producent | Powerex, Inc. |
| Opis | DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 |
| Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Cena Referencyjna (w dolarach amerykańskich) | 30 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $25.161 | |||||
- Parametr produktu
- Arkusz danych
Product parameter
| Part Number | R6031035ESYA | Producent | Powerex, Inc. |
|---|---|---|---|
| Opis | DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 | Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 1254 pcs | Arkusz danych | R60(2,3)xx35 |
| Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe | Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 1.5V @ 800A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 1000V | Dostawca urządzeń Pakiet | DO-205AB, DO-9 |
| Prędkość | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Seria | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR) | 2µs | Opakowania | Bulk |
| Package / Case | DO-205AB, DO-9, Stud | Temperatura pracy - złącze | -45°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania | Chassis, Stud Mount | Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 12 Weeks | Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody | Standard | szczegółowy opis | Diode Standard 1000V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 50mA @ 1000V | Obecny - Średnia Spirytus (Io) | 350A |
| Pojemność @ VR F | - |
- Produkty powiązane
- Powiązane wiadomości
Produkty powiązane
- Część#:
R6030ENZ1C9 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247 - W magazynie:
28857
- Część#:
R6035ENZC8 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF - W magazynie:
27491
- Część#:
R6030KNZC8 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF - W magazynie:
41757
- Część#:
R6031022PSYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 - W magazynie:
1082
- Część#:
R6031435ESYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 - W magazynie:
1041
- Część#:
R6031225HSYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 - W magazynie:
1037
- Część#:
R6030KNZ1C9 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 - W magazynie:
53918
- Część#:
R6031025HSYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 - W magazynie:
1234
- Część#:
R6030ENZC8 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF - W magazynie:
30996
- Część#:
R6035KNZC8 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF - W magazynie:
12984
- Część#:
R6031222PSYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 - W magazynie:
1153
- Część#:
R6030ENX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220 - W magazynie:
33549
- Część#:
R6030KNXC7 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - W magazynie:
52120
- Część#:
R6035ENZ1C9 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247 - W magazynie:
30850
- Część#:
R60400-1CR - Producenci:
Bussmann (Eaton) - Opis:
FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS - W magazynie:
280
- Część#:
R6031425HSYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 - W magazynie:
997
- Część#:
R6030MNX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - W magazynie:
29453
- Część#:
R6030KNX - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM - W magazynie:
45146
- Część#:
R6031235ESYA - Producenci:
Powerex, Inc. - Opis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 - W magazynie:
1313
- Część#:
R6035KNZ1C9 - Producenci:
LAPIS Semiconductor - Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 - W magazynie:
36087